[Global Economy]엘피다, 25나노 D램 반도체 7월부터 양산

日언론 “미세화 경쟁서 삼성전자 눌렀다”
업계 “상용화 이행 지켜봐야”

일본의 반도체 제조업체인 엘피다메모리(이하 엘피다)가 25nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) D램을 7월부터 상용 생산하기로 했다고 니혼게이자이신문이 2일 보도했다. 이 신문은 “회로선폭이 20nm 선인 D램을 양산하는 것은 세계 처음”이라며 “반도체 미세화 경쟁에서 1위인 한국 삼성전자를 눌렀다”고 전했다.

이 신문에 따르면 엘피다는 25nm급 개발을 완료해 7월부터 히로시마 공장에서 양산하기로 했다. 삼성전자의 30nm급에 비해 생산효율이 약 30% 개선돼 가격경쟁력이 크게 높아졌다는 게 이 신문의 분석이다.

반도체업계에서는 반도체 칩 위에 정보처리용 회선을 얼마나 촘촘히 까느냐가 반도체의 생산성을 좌우한다. 회선폭을 줄일수록 데이터 처리속도가 빨라지고 생산비용은 줄어든다.

최근 10년간 D램의 미세화 기술에서 삼성전자가 개발을 선도해왔다. 삼성전자는 지난해 7월 30nm급을 처음 상용 생산했으며 현재 20nm급을 개발 중이다. 전동수 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 지난해부터 “올해 안으로 20nm급을 양산하겠다”고 얘기해왔다.

이 신문은 “엘피다는 30nm급에서 삼성전자에 6개월 늦었지만 1년 전부터 추진해온 기술개발 체제를 전면 수정해 처음으로 20nm급 양산을 성공하기에 이르렀다”고 평가했다. 엘피다는 스마트폰 등 소형 정보기술(IT) 기기를 겨냥해 올해는 기억용량을 2GB(기가바이트), 내년에는 4GB급을 각각 생산할 계획이다.

이날 엘피다의 20nm급 양산 소식에 대해 삼성전자는 “개발 시점보다 얼마나 빨리 양산해 안정화하느냐가 중요하다”고 밝혔다. 또 삼성전자는 “지난해 40nm급 이하(40nm급과 30nm급) 비중이 전체 생산량의 60%를 차지했고 올해엔 30nm급 이하를 전체 생산량의 50%까지 끌어올릴 계획”이라며 구체적 수치를 제시하기도 했다.

또 다른 반도체업계 관계자는 “반도체업계에서는 개발했다고 발표했다가 상용화되지 않는 경우도 비일비재할 정도로 개발과 상용화는 별개의 문제”라며 “엘피다의 상용생산 계획이 실제로 이행되는 것을 지켜볼 필요가 있다”고 설명했다.

도쿄=김창원 특파원 changkim@donga.com　　
김선미 기자 kimsunmi@donga.com