하이닉스반도체는 세계 최초로 개발한 4Gb(기가비트) 모바일 D램이 미국 반도체 업체 인텔의 모바일 인터넷 디바이스(MID) ‘무어스타운’ 인증을 얻었다고 9일 밝혔다.
무어스타운은 인텔이 만든 저전력 휴대기기용 칩셋 규격으로 이 칩셋에 사용 가능한 반도체 부품에 대해 까다로운 인증 과정을 거친다.
하이닉스는 3분기(7∼9월) 내로 4Gb 모바일 D램의 양산을 시작할 계획이다.
김상훈 기자 sanhkim@donga.com
무어스타운은 인텔이 만든 저전력 휴대기기용 칩셋 규격으로 이 칩셋에 사용 가능한 반도체 부품에 대해 까다로운 인증 과정을 거친다.
하이닉스는 3분기(7∼9월) 내로 4Gb 모바일 D램의 양산을 시작할 계획이다.
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