광고 로드중
D램의 속도+‘플래시’의 안정성
D램과 플래시메모리의 장점만을 모아 칩 하나에 구현한 신개념 메모리 기술이 국내에서 개발됐다.
이 기술을 활용하면 현재 1기가바이트(GB)에 3∼4분씩 걸리는 저장 시간을 1초로 줄인 휴대용 저장장치인 USB 메모리를 만들 수 있다.
KAIST 전자전산학과 최양규(사진) 교수와 나노종합팹센터 연구팀은 14일 수십∼수백 nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 크기의 구조물을 가공하는 제작 기술을 이용해 D램과 플래시메모리를 통합한 ‘차세대 퓨전메모리’(U램)를 개발했다고 밝혔다.
최 교수는 “U램은 빠른 정보처리 속도를 자랑하는 D램과 10년 이상 정보를 저장할 수 있는 비휘발성 플래시메모리를 결합한 구조를 가진다”며 “기술적으로 2∼3년 안에 상용화가 가능하며 이미 관련 특허 5건을 출원했다”고 말했다.
이번 연구는 지난해 12월 미국 워싱턴에서 열린 국제전자소자학회와 지난달 하와이에서 열린 ‘국제 초고집적회로 심포지엄’에서 처음 소개됐다.
박근태 동아사이언스 기자 kunta@donga.com