하이닉스반도체는 D램 S램 등에 이은 차세대 기억소자 Fe램의 1메가 제품 개발에 성공했다고 3일 발표했다.
Fe램은 전원이 끊겨도 저장한 데이터를 잃지 않는 비휘발성 메모리로 기존 비휘발성 기억소자인 플래시메모리보다 정보기록 속도가 1000배 이상 빠른 것이 특징. 하이닉스 관계자는 “Fe램은 차세대 이동통신기기와 스마트 카드 등에 쓰인다”며 “이번에 1메가 제품이 개발됨에 따라 대용량 제품의 상품화 시기를 앞당길 수 있게 됐다”고 설명했다.
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