삼성전자가 세계 최초로 40nm(나노미터1nm는 10억분의 1m) 32기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리 개발에 성공했다.
또 지난 35년 동안 반도체 업계에서 사용돼 온 미국 인텔사()의 낸드플래시 기술을 대체할 수 있는 신개념의 차지트랩플래시(CTFCharge Trap Flash) 기술을 개발했다. CTF 기술은 이번 낸드플래시 메모리 개발의 기반이 됐다.
황창규 삼성전자 반도체총괄 사장은 11일 서울 중구 장충동 신라호텔에서 기자회견을 열고 세계 최초로 40nm 공정을 적용해 32Gb 낸드플래시 메모리를 개발했다며 2008년부터 양산을 시작할 것이라고 밝혔다.
지난해가 플래시 러시(Flash Rush)의 해였다면, 올해는 새로운 디지털 세상을 여는 플래시토피아(Flashtopia)로의 진입을 준비하는 첫 해가 될 것입니다.
황창규 삼성전자 반도체총괄 사장은 11일 40나노 32기가비트(Gb) 낸드플래시메모리 개발의 의미를 플래시 메모리로 구현되는 유토피아 세상, 즉 플래시토피아로 요약했다.
그가 지난해 이름 붙였던 플래시 러시는 모든 휴대용 저장장치가 플래시 메모리로 대체되면서 플래시 메모리 시장이 폭발적으로 성장한다는 것.
플래시토피아는 플래시가 단순한 정보 저장•휴대장치를 넘어서 인간의 전반적 삶의 질을 향상시킨다는 더 포괄적인 의미를 지닌다.
삼성전자 측은 창조적인 생각과 가족에게 정을 주는 일을 뺀 나머지는 모두 플래시 메모리에 맡겨라며 플래시 메모리가 우리 생활 전반에 큰 영향을 미칠 것이라고 자신했다.
꿈의 테라비트 시대
삼성전자가 세계 최초로 40나노 32Gb 낸드플래시를 발표하면서 테라비트(Tb•1Tb는 1Gb의 1000배) 시대가 우리 앞에 성큼 다가왔다.
문자와 사진 음악 동영상 등 우리 생활에 필요한 모든 정보를 플래시 메모리에 담아 저장했다가 자유롭게 꺼내 사용할 수 있는 정보 혁명이 실현되는 것이다.
40나노 32Gb 낸드플래시 메모리는 328억 개의 메모리 기본 소자가 엄지손톱만 한 크기에 집적돼 있다.
특히 2008년에 이 메모리가 양산되면 64기가바이트(GB) 메모리카드의 제작이 가능해져 한 장의 메모리카드에 종합 일간지 400년 분량을 저장할 수 있게 된다.
황 사장은 1년 동안 눈앞에 일어날 일을 작은 반도체 칩 하나에 저장할 수 있는 시대가 된 것이라고 설명했다.
플래시 메모리는 하드디스크에 비해 훨씬 가볍고 속도도 빠르며 소비 전력도 적기 때문에 저장 용량의 제약을 받지 않는 디지털 생활을 가능하게 한다. 또 플래시 메모리의 최대 장벽이었던 가격도 큰 폭으로 낮아지고 있어 실생활에의 적용 폭은 더욱 넓어질 전망이다.
성장과 경쟁의 반도체 메모리 시장
삼성전자는 40나노 32Gb 낸드플래시 메모리 제품이 본격 양산되는 2008년 이후에는 500억 달러(약 47조5000억 원) 규모의 낸드플래시 시장이 형성될 것으로 내다보고 있다.
삼성전자는 올해 처음으로 낸드플래시 메모리를 PC까지 적용해 하드디스크 없는 디지털 PC를 출시한 데 이어 이번에 발표한 40나노 32Gb 낸드플래시는 모든 디지털 제품으로 확대 적용한다는 계획이다.
삼성전자 측은 플래시 메모리의 등장은 종이 화약 나침반 등에 필적하는 인류의 혁명적 발명품이라면서 메모리 시장은 PC시장의 한계를 넘어 이제는 휴대전화 등 10억 대 이상의 모바일 및 디지털 소비자 시장을 대상으로 한다고 설명했다.
특히 마이크로소프트의 새로운 컴퓨터 운영체제인 윈도 비스타와 소니의 게임기인 플레이스테이션 3 출시를 올해 말 또는 내년 초 앞둔 시점에서 3차원 입체영상을 구현하는 D램 시장도 크게 확대될 전망이다.
한편 미국 인텔과 마이크론이 올해 합작회사를 만들어 낸드플래시 양산에 들어갔고, 도시바 등 일본 업체와 대만 업체들이 설비 증설에 나서는 등 반도체 메모리 시장의 경쟁은 갈수록 치열해지고 있다.
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