三星电子世界最先成功开发出了40 nm（纳米、1 nm为10亿分之1米）32千兆（Gb）NAND闪存。
另外，开发出了能够代替在过去35年来一直在半导体业界使用的美国英特尔公司NAND型Flash技术的新概念“CTF（Charge Trap Flash）”技术。CTF技术成为了此次NAND型闪存开发的基础。
三星电子总管半导体事务的总经理黄昌圭11日在首尔中区奖忠洞新罗酒店召开记者会，表示：“世界最先适用40纳米工程，开发出了32千兆NAND闪存。”并称：“从2008年开始，将批量生产。”
“如果去年是‘Flash Rush’之年，那么今年就将成为为进入打开新的数码世界的‘Flashtopia’做准备的第一年。”
11日，三星电子总管半导体事务的总经理黄昌圭将开发出40纳米32千兆 NAND型闪存的意义称为“用闪存来体现的乌托邦世界”，即，概括成为了Flashtopia。
他表示，去年的代名词——“Flash Rush”是指随着所有的携带用储存装置被闪存代替，闪存市场将爆发性地增长。
“Flashtopia”是指Flash超越了单纯的信息储存、携带装置，带有提升人类整体的生活质量的更加广泛的意义。
三星电子方面表示：“把除了创造性的思维和对家庭付出情感的事情之外的一切都交给闪存吧。”并确信闪存将给我们的整个生活产生很大的影响。
○ 梦想的“兆兆比特时代”
随着三星电子世界最先发表40纳米32千兆 NAND闪存，“Tb（1Tb为1千兆的1000倍）时代”已经来到我们的眼前。
将文字和照片、音乐、视频等我们的生活所需的所有信息存入闪存中储存，在需要时可以随时自由提取适用的信息革命已经实现。
40纳米32千兆 NAND型闪存是在大拇手指甲大小的存储器上集成了328亿个存储器基本原件。
尤其等到2008年该存储器被批量生产，将可以制造64千兆字节（GigaByte、千兆）存储卡的制作，在一张存储卡中，能够储存综合日报400年的内容。
黄昌圭总经理解释说：“可以将1年来发生在眼前的事情全部都储存到一个小小的半导体芯片中的时代到来。”
闪存与硬盘相比，轻便许多，速度也快得多，而且消耗的电力也少很多，因此将能够实现不受储存容量的制约的数码生活。另外，曾是闪存最大屏障的价格也在大幅下降，因此预计在实际生活中的适用范围将进一步拓宽。
○ 成长和竞争的半导体存储器市场
三星电子预测，到了40纳米32千兆 NAND型闪存产品被正式批量生产的2008年以后，将形成500亿美元（约47.5万亿韩元）规模的NAND型Flash市场。
三星电子今年首次将NAND型闪存适用在PC（个人计算机）上，推出了没有硬盘的“数码PC”之后，计划将此次发表的40纳米32千兆 NAND型扩大适用到所有的数码产品上。
三星电子方面表示：“闪存的登场，是可以与纸、火药、指南针等相媲美的人类的革命性发明品。”并解释说：“存储器市场将跨越PC市场的界限，面向的是手机等10亿人以上的移动及数码消费者市场。”
尤其是在面临微软的新电脑操作系统——“Windows Vista”和索尼的游戏机——“Playstation 3”将于今年年末或是明年年初面市的情况下，体现3维立体影像的D内存市场预计也将大幅扩大。
另外，美国的英特尔和美光今年成立合作公司，进入了NAND型Flash的批量生产，东芝等日本企业和台湾企业也纷纷增设设备等，半导体存储器市场的竞争正变得越来越激烈。
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