三星电子在全球首次开发4吉咖字节DRAM

三星电子在全球首次开发了新时代尖端DRAN技术---“4吉咖字节DRAM半导体产品技术”，并成功生产了试用产品。

7日，三星电子在美国旧金山举行的ISSCC(国际半导体学会)上，发表了关于利用0．10微米超微细流程技术的 4吉咖字节记忆半导体产品技术开发的技术论文，这标志着它已成功迈向4吉咖字节DRAM时代。

此次发表的论文，包括了能够消化高集成度大容量记忆体特性的微细放大电路和稳定电路的相关技术，以及能够以低电力高速运作的复合设计技术等。

三星电子在试用产品阶段开发的4吉咖字节DRAM的容量为42亿9千万比特。1个小小的基片可储存3万2千页的报刊、5亿个英文字体、640本书、1600张静止图像以及64小时的语音数据，属于尖端高科技产品。

三星电子若是将此次开发的4吉咖字节DRAM流程技术---即0．10微米技术，运用在目前工厂生产的256兆字节以及128兆字节DRAM产品上，估计会获得减少60%的成本效果，从而将在半导体成本竞争中占据优势。

lkmhan@donga.com