隨著人工智能（AI）的深化發展，市場對低功耗、高效能存儲半導體的需求日益增長。在傳統昂貴且性能卓越的高帶寬存儲器（HBM）之外，面向人工智能的“性價比”內存市場正全面開啓。三星電子、SK海力士、美光科技這三家內存巨頭的新品競爭也因此日趨白熱化。
SK海力士10日宣布，在全球率先采用第六代（1c）工藝開發出16Gb LP（低功耗）DDR6 DRAM。LPDDR是應用于智能手機、平板電腦等移動産品的DRAM。1c是當前內存行業實現商用化的最先進DRAM工藝。SK海力士的LPDDR6與前壹代LPDDR5X相比，數據處理速度提升33%，設計功耗降低逾20%。
SK海力士計劃上半年內完成量産准備，從下半年開始供應産品。公司表示，該産品將主要應用于搭載人工智能的終端設備“On-Device AI”，並將構建針對人工智能優化的通用內存産品線。
除了On-Device AI（即在設備上運行的人工智能），LPDDR在人工智能服務器領域的應用也備受期待。LPDDR也是作爲HBM補充而備受關注的“集成式內存模組（SOCAMM）”的核心組件。集成式內存模組是將四顆LPDDR集成在壹起的DRAM模組，相比傳統服務器DRAM功耗更低、性能更高，需求正不斷增加。目前商用化的最新産品是基于LPDDR5X的第二代集成式內存模組，三星電子已率先投入量産，SK海力士正在進行供應客戶的優化工作。美光科技則開發出比三星電子、SK海力士第二代産品容量提升約33%的模組，近期已向客戶送樣。
集成式內存模組技術備受關注，原因在于人工智能從學習階段過渡到推理階段後，所需的內存功能發生了變化。當人工智能以學習爲中心時，快速處理海量數據的HBM是必需品。而推理人工智能的核心是從通過學習完成的模型中快速尋找答案。此時，人工智能並不需要HBM那樣的性能，過高的功耗和發熱反而會導致效率低下。相比之下，性能優于普通DRAM，同時功耗效率和發熱控制優于HBM的集成式內存模組更能發揮最佳作用。半導體業界相關人士預測：“隨著今後集成式內存模組競爭加劇，LPDDR的需求也將擴大。”
爲適應快速變化的人工智能市場，半導體業界正投入巨額研發（R&D）費用，致力于包括HBM、集成式內存模組在內的各種內存産品線的升級。近期公布的合並審計報告顯示，三星電子去年的研發費用達37.7404萬億韓元，同比增長7.8%，創曆史新高。SK海力士去年的研發投入也達到6.7325萬億韓元，爲曆史最高水平。
朴賢益記者 beepark@donga.com
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