三星電子全球率先開發的10納米級DRAM國家核心技術遭泄露至中國，包括三星電子前高管在內的共10人被移送審判。調查發現，爲逃避偵查，他們內部共享行動指南和暗號，有組織地實施了犯罪。
首爾中央地方檢察廳信息技術犯罪調查部（部長檢察官金允用）23日表示，以違反《産業技術保護法》（向國外泄露國家核心技術等）和《防止不正當競爭法》（向國外披露商業秘密等）的罪名，對三星電子前部長金某（58歲）等5人予以逮捕起訴，其余5人則不予逮捕起訴。
金某等人被指控自2016年起非法獲取三星電子耗時5年、投入1.6萬億韓元全球首創的18納米DRAM工藝信息，並泄露給中國長鑫存儲（CXMT）。特別是三星電子前研究員全某（57歲）親自手抄數百道工序信息進行泄露，長鑫存儲基于該資料于2023年成功實現中國首款10納米級DRAM的量産。
在此過程中，SK海力士的技術也遭進壹步泄露。曾負責長鑫存儲清潔工序的另壹名金某（56歲），于2020年6月通過SK海力士合作企業非法獲取屬于國家核心技術和商業秘密的DRAM工藝信息，被移送審判。檢方預估，僅因本次泄露導致的去年三星電子銷售額減少額就達5萬億韓元，今後對國家經濟造成的整體損失將達數十萬億韓元。
這些人的犯罪手法堪比諜戰電影。據檢方透露，他們設立空殼公司並定期更換辦公地點，共享“要時刻假設周圍有國家情報院等人員監視”的行動指南。尤其規定在發生禁止出境或被捕等緊急情況時，需向同夥發送暗號“♥♥♥♥”（四顆心形符號）傳遞情報。
檢方相關負責人表示：“今後將對嚴重威脅國家經濟和技術安全的産業技術海外泄露犯罪予以嚴肅應對。”
崔美松記者 cms@donga.com
About Dong-A Ilbo