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三星電子在世界上首次開發出16千兆NAND快閃記憶體

三星電子在世界上首次開發出16千兆NAND快閃記憶體

Posted September. 13, 2005 07:33   

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三星電子又創造了一個半導體成功神話。

6年來一直實現記憶體容量每年以2倍速度增加的“黃(黃昌圭總經理的姓)法則”,因此半導體新增長論獲得了加倍的力量。

12日,三星電子在首爾中區獎忠洞新羅酒店舉行記者會見發表稱:“世界首次使用50納米(1納米是1米的10億分之1)技術成功開發了16千兆NAND快閃記憶體。”

指甲大小的晶片可以存儲16千兆資料,半導體線路寬度僅僅是50納米,相當於頭髮絲直徑的2000分之1。

三星電子總管半導體的黃昌圭總經理稱:“明年下半年(7~12月)開始批量生産之後,會進入快閃記憶體代替紙的資訊存儲及傳達功能的‘數碼紙’時代。”

利用16千兆技術,可以製作最大32千兆快閃記憶體記憶體。

32千兆存儲卡可以存儲20部(32小時)DVD電影,或者存儲8000首(670小時)MP3文件,或者存儲200年分量的日報資訊。

三星電子從1999年開發256MB爲開頭,每年成功開發了記憶體容量加大2倍的産品。

另外,半導體線路的寬度從2001年的100納米成功縮小到50納米,保持了技術領先地位。



李相錄 myzodan@donga.com