20日，三星電子錶示，成功開發出了電路線直徑爲60納米（nm，1納米等於10億分之1米，相當於發絲直徑的2000分之1）的8GNADN型快閃記憶體。
此外，三星電子還公開了將已位居世界首位的記憶體半導體和手機用中央處理器（CPU）等非記憶體半導體同步發展的經營戰略。
三星電子全權負責半導體事業的總經理黃昌圭當天在漢城新羅酒店召開記者招待會，做出了上述表示，並稱，“隨著世界上首次在快閃記憶體上將60納米技術商用化，三星電子在半導體納米技術方面已成爲‘絕對強者’。”他還表示，“明年將批量生産適用該技術的産品。”
利用60納米快閃記憶體可以製作的16G快閃記憶體可存儲10部DVD級高畫質影片或4000多首MP3音樂。
三星電子於2001年推出100納米産品後，2002年和2003年又分別推出了90納米和70納米産品，在世界半導體行業推出了最尖端産品。
三星電子當天還推出了世界上容量最大的新産品“80納米級2G DDR2DRAM”和到目前爲止推出的産品中，處理資料速度最快的667MHz手機用中央處理器。
黃昌圭表示，“繼已經位居世界首位的DRAM、SRAM、快閃記憶體等記憶體半導體之後，今年在多晶片封裝（MCP）領域也將登上世界第一位，而且到2007年爲止，在手機用中央處理器、相機手機用形象大型積體電路（CIS）等非記憶體半導體領域也將成爲世界第一。”
8GNADN型快閃記憶體是即使斷電，所存儲的資訊也不會消失的快閃記憶體中，使用速度最快，而且非常適合存儲很多資訊的産品，用於數碼相機、MP3播放器、手機等産品的存儲媒體。
朴重炫 sanjuck@donga.com
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