HBM4E 칩 및 웨이퍼 최초 전시 당 16Gbps 속도와 4TB/s 대역폭 구현해 초고속 연산 환경 지원 엔비디아 베라 루빈 플랫폼용 메모리 및 스토리지 전 제품군 유일 공급 저항 20% 개선한 차세대 하이브리드 본딩 기술로 고적층 경쟁력 확보
삼성전자 HBM4
광고 로드중
삼성전자는 16~19일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 개최되는 엔비디아 GTC 2026에 참가해 차세대 인공지능(AI) 반도체 시장을 겨냥한 기술력을 선보였다고 밝혔다. 이번 전시의 핵심은 5세대 고대역폭 메모리인 HBM4E 실물 칩과 엔비디아의 차세대 가속기 플랫폼인 베라 루빈(Vera Rubin)에 최적화된 통합 메모리 설루션이다.
메모리·파운드리·패키징 역량 결집한 HBM4E 첫선
삼성전자는 전시장 내 마련된 전용 공간을 통해 1c D램 공정과 자사 파운드리 4나노 베이스 다이 기술을 적용한 HBM4E 칩을 처음으로 공개했다. 이 제품은 설계부터 생산, 패키징에 이르는 전 과정을 자체 수행하는 종합반도체기업(IDM)의 강점을 극대화한 결과물이다.
HBM4E는 핀당 16Gbps의 전송 속도와 초당 4.0TB의 대역폭을 지원한다. 기존 방식 대비 열 저항을 20% 이상 낮춘 하이브리드 구리 본딩(HCB) 기술을 도입했다. 이 기술은 구리 배선을 직접 연결하는 방식으로, 칩을 16단 이상 높게 쌓으면서도 발열 제어 능력이 뛰어나 차세대 고성능 연산 장치에 적합한 구조를 갖췄다.
광고 로드중
삼성전자 SOCAMM2
삼성전자 PM1763
AI 인프라 혁신 위한 전략적 협력 확대
행사 이틀째인 17일에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아의 초청으로 발표 무대에 오른다. 송 센터장은 차세대 AI 시스템 구축에 필수적인 삼성의 통합 메모리 비전을 공유하며, 단순한 부품 공급 관계를 넘어 인프라 전반에서 양사의 협력을 강화하겠다는 구상을 밝힐 예정이다.
광고 로드중
김상준 기자 ksj@donga.com