‘개발비 4조’ 삼성반도체 기술 中 기업에 몰래 사용…전 임원 구속 기소

삼성·하이닉스서 30년 근무한 최고 전문가 中에 회사 세워
4~5년 걸리는 D램 반도체 공정 기술 1년 6개월 만에 개발

(그래픽은 기사 내용과 무관함) / 뉴스1 

삼성전자가 4조 원을 투입해 만든 반도체 기술을 부정 사용한 전직 삼성전자, 하이닉스 반도체 임원이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 27일 삼성전자 및 하이닉스 반도체 부문 임원을 지낸 최 모 씨(66)와 전직 삼성전자 수석연구원 오 모 씨(60)를 산업기술법 위반, 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 구속 기소했다고 밝혔다.

이들은 중국 청도시로부터 약 4000억 원 상당의 투자를 받아 회사를 세운 뒤 삼성전자의 국가 핵심 기술인 D램 공정 기술을 부정 사용해 20나노 D램을 개발한 혐의를 받는다.

특히 최 씨는 삼성전자, 하이닉스에서 약 30년을 근무한 국내 반도체 제조 분야 최고 전문가로 꼽힌다. 그는 회사 운영을 주도하며 영입한 오 씨 등 기술자를 통해 삼성전자의 20나노 D램 반도체 핵심 공정 기술을 유출해 무단으로 사용한 혐의를 받는다.

이들은 삼성전자가 개발비 4조 원을 투입한 국가 핵심 기술을 부정 사용해 글로벌 반도체 회사들도 통상 4~5년이 소요되는 D램 반도체 공정 기술을 1년 6개월 만에 개발해 중국에서 2번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공했다.

시범 웨이퍼는 적용한 기술이 실제 반도체로서 기능을 할 수 있는지를 측정하는 기초 개발 제품을 말한다.

다만 해당 기술이 중국 내 외국 기업으로 유출된 정황은 확인되지 않은 것으로 전해졌다.

검찰 관계자는 “최종 양산에 성공할 경우 그 피해가 최소 수십조 원에 달할 것으로 예상돼 경찰과 긴밀히 협력해 이들을 구속했다”고 했다.

검찰 추가 수사 결과 최 씨는 중국 반도체 회사 지분 860억 원 상당을 받고 보수 명목으로 18억 원의 범죄 수익을 취득했다.

검찰은 최 씨가 설립한 중국 반도체 회사가 조직적으로 범행을 계획·실행한 것으로 보고 반도체 회사도 추가 기소했다.

검찰 관계자는 “피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술 유출 범죄에 엄정 대응하겠다”고 했다.

(서울=뉴스1)