미국 텍사스 주 오스틴 ‘삼성 오스틴 반도체 생산단지’에서 14일(현지 시간) 윤종용 삼성전자 부회장(왼쪽 세 번째)과 릭 페리 미국 텍사스 주지사(왼쪽 두 번째) 등이 참석한 가운데 300mm 웨이퍼 반도체 생산라인 준공식이 열렸다. 사진 제공 삼성전자
매월 생산 신기록을 내고 있는 하이닉스반도체 이천공장 생산라인 내부. 하이닉스 관계자는 5월 D램 완제품 생산량이 1억 개를 돌파한 M10 라인에 대해 “1500여 명의 직원들의 열정이 생산성 향상에 가장 큰 힘이 되고 있다”고 말했다. 사진 제공 하이닉스
▼美 오스틴에 300mm 웨이퍼 라인 준공▼
삼성전자가 올해 하반기부터 미국 텍사스 주 오스틴에서 300mm 웨이퍼 반도체를 생산하며 오스틴을 미국 내 전략 생산 거점으로 키운다.
삼성전자는 14일(현지 시간) 미국 오스틴 반도체 생산단지에서 약 4만3000평 규모의 300mm 웨이퍼 생산라인 준공식을 가졌다고 15일 밝혔다.
새 라인은 1997년부터 오스틴 단지에서 가동되고 있는 기존 200mm 라인에 이은 삼성전자의 미국 내 두 번째 반도체 생산시설이자 해외 첫 300mm 반도체 생산라인이다. 삼성전자는 기존 200mm 웨이퍼 라인은 D램 생산에 주력하고 새 300mm 라인에서는 차세대 메모리 반도체를 생산할 계획이다.
300mm 라인에는 내년까지 모두 35억 달러가 투자될 계획이며 생산규모는 초기 월 2만 장에서 조금씩 확대해 나갈 방침이다.
삼성전자는 △세계 최대 반도체 단지인 국내 기흥-화성 단지는 최첨단 반도체 생산 및 연구개발(R&D) 메카로 △오스틴 단지는 미주 전략 생산 거점으로 △중국 쑤저우(蘇州) 단지는 조립 거점으로 각각 집중 육성해 아시아와 미주 대륙을 잇는 글로벌 생산 체제를 강화해 나갈 계획이다.
윤종용 삼성전자 부회장은 기념사에서 “오스틴 300mm 라인 건설로 최첨단 메모리 제품의 안정적인 현지 공급원을 확보할 수 있게 됐다”고 말했다.
김선우 기자 sublime@donga.com
▼D램 완제품 생산 월 1억개 첫 돌파▼
하이닉스반도체의 300mm 웨이퍼 반도체 생산라인이 연일 생산 신기록을 경신하고 있다.
하이닉스는 이천 공장의 300mm 웨이퍼 반도체 생산라인인 ‘M10 팹’의 5월 월간 D램 완제품 생산량이 세계 최초로 1억 개를 돌파했다고 15일 밝혔다.
300mm 웨이퍼로는 11만 장에 해당하는 생산량이다.
이에 앞서 이 라인은 4월 300mm 라인으로는 역시 세계 최초로 월 웨이퍼 생산량이 10만 장을 넘는 기록을 세웠다.
2004년 폐쇄된 200mm 웨이퍼 생산라인을 개조해 만든 이 라인의 원래 생산 능력은 월 3만 장 정도다.
이 라인은 2005년 1월 첫 양산 이후 8개월 만에 수익을 냈으며 한 번도 생산성이 떨어진 적이 없는 기록을 가지고 있다.
이재우 하이닉스 상무는 “자동화율이 98%에 이르는 M10 라인의 생산성 향상은 60%의 장비투자와 40%의 내부 개선활동으로 가능하게 됐다”며 “이 라인은 기적을 생산하는 공장으로 불린다”고 말했다.
특히 이 라인은 하이닉스가 상생협력의 일환으로 ‘장비 국산화 실천 팹’으로 지정하고 작년부터 국산 장비 채택을 적극적으로 확대하고 있는 곳이라는 점에서 이러한 생산성 향상은 더욱 고무적이라고 하이닉스 측은 설명했다.
김선우 기자 sublime@donga.com