随着人工智能（AI）的深化发展，市场对低功耗、高效能存储半导体的需求日益增长。在传统昂贵且性能卓越的高带宽存储器（HBM）之外，面向人工智能的“性价比”内存市场正全面开启。三星电子、SK海力士、美光科技这三家内存巨头的新品竞争也因此日趋白热化。
SK海力士10日宣布，在全球率先采用第六代（1c）工艺开发出16Gb LP（低功耗）DDR6 DRAM。LPDDR是应用于智能手机、平板电脑等移动产品的DRAM。1c是当前内存行业实现商用化的最先进DRAM工艺。SK海力士的LPDDR6与前一代LPDDR5X相比，数据处理速度提升33%，设计功耗降低逾20%。
SK海力士计划上半年内完成量产准备，从下半年开始供应产品。公司表示，该产品将主要应用于搭载人工智能的终端设备“On-Device AI”，并将构建针对人工智能优化的通用内存产品线。
除了On-Device AI（即在设备上运行的人工智能），LPDDR在人工智能服务器领域的应用也备受期待。LPDDR也是作为HBM补充而备受关注的“集成式内存模组（SOCAMM）”的核心组件。集成式内存模组是将四颗LPDDR集成在一起的DRAM模组，相比传统服务器DRAM功耗更低、性能更高，需求正不断增加。目前商用化的最新产品是基于LPDDR5X的第二代集成式内存模组，三星电子已率先投入量产，SK海力士正在进行供应客户的优化工作。美光科技则开发出比三星电子、SK海力士第二代产品容量提升约33%的模组，近期已向客户送样。
集成式内存模组技术备受关注，原因在于人工智能从学习阶段过渡到推理阶段后，所需的内存功能发生了变化。当人工智能以学习为中心时，快速处理海量数据的HBM是必需品。而推理人工智能的核心是从通过学习完成的模型中快速寻找答案。此时，人工智能并不需要HBM那样的性能，过高的功耗和发热反而会导致效率低下。相比之下，性能优于普通DRAM，同时功耗效率和发热控制优于HBM的集成式内存模组更能发挥最佳作用。半导体业界相关人士预测：“随着今后集成式内存模组竞争加剧，LPDDR的需求也将扩大。”
为适应快速变化的人工智能市场，半导体业界正投入巨额研发（R&D）费用，致力于包括HBM、集成式内存模组在内的各种内存产品线的升级。近期公布的合并审计报告显示，三星电子去年的研发费用达37.7404万亿韩元，同比增长7.8%，创历史新高。SK海力士去年的研发投入也达到6.7325万亿韩元，为历史最高水平。
朴贤益记者 beepark@donga.com
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