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SK海力士在英特尔验证“最高速度”10纳米DRAM产品

SK海力士在英特尔验证“最高速度”10纳米DRAM产品

Posted May. 31, 2023 07:55   

Updated May. 31, 2023 07:55

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SK海力士30日表示,最近将采用10nm(纳米)级第5代(1b)最尖端技术的服务器用DDR5产品投入到了英特尔的产品验证程序中。此前,三星电子18日表示,已批量生产同一第五代工艺12纳米级DDR5产品,因此,最尖端存储器技术竞争日趋激烈。

SK海力士解释说,相关DRAM产品最近进入了英特尔的“数据中心存储器认证程序”验证程序。如果通过该程序,今后可以实际适用于英特尔的新一代服务器用芯片.

新产品DDR5的工作速度为6.4Gbps(每秒6.4千兆比特),在目前市场上市的DDR5中实现了最高速度。与DDR5开发阶段公开的初期试制品相比,数据处理速度提高了33%。与前一阶段产品第4代(1a)DDR5相比,电力消耗减少了20%以上.

随着下半年(7~12月)半导体景气恢复的预测被提出,抢占市场的尖端工艺竞争将进一步深化。SK海力士DRAM开发负责人(副社长)金钟焕(音)表示:“将以业界最高水平的DRAM竞争力为基础,加速业绩改善,明年上半年将把最尖端1b工艺扩大适用到高带宽存储器(HBM)新一代产品等。”


郭道英 now@donga.com