浦项工业大学研究小组成功开发出读写1000亿次也不损耗信息的新物质，它可制作具有卓越性能的FRAM存储器芯片。
FRAM与读写数百万次便损耗信息的存储器DRAM不同，是可以半永久性地保存信息的非挥发性存储器芯片。
14日，浦项工业大学新材料工程系张铉明（49岁，照片）教授小组表示，利用铋、钕、钛系列的物质已成功开发出自发分极效应非常明显，且可半永久性地读写信息的划时代的电容器，它将用于FRAM薄膜。所谓的自发分极是指，在单位容量上发生的双电极的大小。在FRAM中，自发分极越大，越能明确传达信息。该研究成果将刊登在物理学领域最具权威的刊物《物理学会期刊》（Physical Review Letters）的8月刊上。
截止到目前，三星电子、东芝、日立等半导体企业在FRAM存储器的开发上，以PZT（铝、铅、钛）和SBT（锶、铋、钛）为主要材料。但它们的缺点是，PZT在反复使用中将损耗信息，而SBT只能在摄氏700度的高温下才能得以制造。
张教授称，“如果发展该研究成果，目前在DRAM领域具有世界最高水平的韩国，在FRAM领域也将可以掌握主导权。”
该芯片是利用被高频率的交流电磁场而诱导的双电极的方向性的新型存储器芯片。由于该芯片是非挥发性的，并且可高速记录信息，再加上耗电量少，所以在“下一代存储器芯片”中将独领风骚。
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