SK海力士26日公開了壹項“iHBM”技術，該技術在人工智能用高性能存儲半導體——高帶寬存儲器（HBM）內部，另行設計散熱專用通道。這項技術將散熱元件“ICE”直接植入HBM內部，可將熱阻較現有方式降低30%以上，將從第8代HBM即HBM5開始應用。
HBM是將存儲芯片堆疊多層，以快速處理人工智能運算所需數據的半導體。隨著人工智能需求增加，正向堆疊層數更多、速度更快的方向發展，但性能越高，發熱也越嚴重，這成爲問題。尤其是HBM內部以超高速傳輸數據的連接區間是熱量最集中的地方，攻克該部位發熱的技術壹直被視爲下壹代HBM競爭力的關鍵。
SK海力士的解決之道是在該位置直接植入散熱元件。“ICE”由不導電但導熱性好的矽材料制成。以往HBM需要將內部熱量經過芯片本體導出至外部，而iHBM在發熱最嚴重的部位加入ICE，相當于開辟了壹條僅排出熱量的專用通道。其原理類似于在發熱處旁開鑿了壹個“通風口”。得益于此，在同等環境下溫度保持較低，在極端條件下也能穩定運行。
該技術將從HBM5起應用。SK海力士說明，這項技術可直接沿用現有量産工藝，不影響大規模生産，且客戶無需大幅更改設計即可引進，負擔較小。SK海力士計劃將其陸續應用于人工智能數據中心和高性能計算領域，提高系統整體的穩定性與效率。
SK海力士負責封裝開發的副社長李康旭（音）表示：“iHBM是結合存儲器設計實力與先進封裝技術開發的發熱最小化最佳解決方案”，“將在人工智能環境中先發提供客戶所需的價值，進壹步鞏固人工智能存儲器領導力。”
李敏娥記者 omg@donga.com
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