據調查，去年韓國國內半導體技術泄露到海外的揭發件數創下了歷史最高紀錄。大法院量刑委員會計劃討論加強對技術泄露犯罪的處罰方案，並於今年3月最終表決。
8日，據韓國的希望（Hope of Korea）梁香子議員室透露，國家情報院去年揭發的半導體技術海外泄露事件達13件，是歷屆最多的壹次。這比2022年的9件增加了44%（4件）。最近，半導體技術海外泄露事件在2016年至2018年間每年被揭發1起，2019年和2020年分別有3起和6起，呈增加趨勢。據分析，這是隨著全球半導體競爭加劇，瞄準國內技術的海外政府及企業嘗試增加，韓國調查機關也積極進行揭發的結果。
據調查，去年被揭發的大部分事件都是在過去數年前發生的。據調查，3日三星電子前部長金某被拘留起訴的事件也發生在2016年。金某涉嫌擅自將18納米DRAM工藝信息泄露給中國長鑫存儲（CXMT）。
技術泄露不僅在半導體領域，在顯示器、二次電池、汽車、造船等韓國主力產業也全方位發生，對國家安保及經濟構成威脅。最近，慶南警察廳產業技術安保調查隊以涉嫌盜取潛艇設計圖紙為由，對大宇造船海洋（現韓華海洋）的2名職員展開了調查。
技術泄露事件不斷發生的主要原因之壹就是“技術泄露帶來的利益遠遠大於揭發時的損失”。大法院量刑委員會8日召開定期會議，就技術泄露犯罪，討論了法院判決方針的量刑標準上調範圍等。國家核心技術泄露的法定刑期為3年以上有期徒刑，但量刑標準為1年~3年6個月，低於法定刑。因此，產業通商資源部向量刑委員會提出了量刑標準至少應上調至3年6個月~5年的意見。
梁議員表示：“技術泄露是有計劃、秘密進行的犯罪，因此現在暴露的事件只是冰山壹角”，“應該嚴格處罰泄露者，並徹底建立事前預防系統。”
朴賢益記者、張恩智記者 beepark@donga.com
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