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成功研製“像荷葉不沾水”的半導體

Posted April. 23, 2012 08:22   

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22日,浦項化工龍基忠教授表示:“根據荷葉不沾水的原理,成功研製了不沾水的“防水記憶體。”

荷葉一塵不染的原因在於粗糙的荷葉面。它的表面上有許多微小的乳突,乳突的平均大小約為3至10μm(1μm等於1/100的1m)。它們擁有排水性,使其不被吸收、自然隨水滴從表面滑落。

研究人員使用鎢氧化物促使納米線成長,並切除單分子膜製造了儲存器。納米線呈現發根形狀,寬10億分之1m的結構。

龍教授表示:“防水儲存器在水中安全運轉,預計可以運用到‘防水智慧手機’、‘防水電腦’等領域。”

本次研究結果將於10日刊登在學術雜誌《Advanced Materials》。



李賢京 uneasy75@donga.com