三星電子在全球首次開發4吉咖字節DRAM

三星電子在全球首次開發了新時代尖端DRAN技術---“4吉咖字節DRAM半導體產品技術”,并成孕芠ㄓF試用產品.

7日,三星電子在美國舊金山舉行的ISSCC(國際半導體學會)上,發表了關于利用0．10微米超微細流程技術的 4吉咖字節記憶半導體產品技術開發的技術論文,這標志著它已成民琣V4吉咖字節DRAM時代.

此次發表的論文,包括了能夠消化高集成度大容量記憶體特性的微細放大電路和穩定電路的相關技術,以及能夠以低電力高速運作的复合設計技術等.

三星電子在試用產品階段開發的4吉咖字節DRAM的容量為42億9千万比特.1個小小的基片可儲存3万2千頁的報刊,5億個英文字體,640本書,1600張靜止圖像以及64小時的語音數据,屬于尖端高科技產品.

三星電子若是將此次開發的4吉咖字節DRAM流程技術---即0．10微米技術,運用在目前工厂生產的256兆字節以及128兆字節DRAM產品上,估計會獲得減少60%的成本效果,從而將在半導體成本競爭中占据优勢.

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