SK海力士在英特爾驗證“最高速度”10納米DRAM產品

SK海力士30日表示，最近將采用10nm（納米）級第5代（1b）最尖端技術的服務器用DDR5產品投入到了英特爾的產品驗證程序中。此前，三星電子18日表示，已批量生產同壹第五代工藝12納米級DDR5產品，因此，最尖端存儲器技術競爭日趨激烈。

SK海力士解釋說，相關DRAM產品最近進入了英特爾的“數據中心存儲器認證程序”驗證程序。如果通過該程序，今後可以實際適用於英特爾的新壹代服務器用芯片.

新產品DDR5的工作速度為6.4Gbps（每秒6.4千兆比特），在目前市場上市的DDR5中實現了最高速度。與DDR5開發階段公開的初期試制品相比，數據處理速度提高了33%。與前壹階段產品第4代（1a）DDR5相比，電力消耗減少了20%以上.

隨著下半年（7~12月）半導體景氣恢復的預測被提出，搶占市場的尖端工藝競爭將進壹步深化。SK海力士DRAM開發負責人（副社長）金鐘煥（音）表示：“將以業界最高水平的DRAM競爭力為基礎，加速業績改善，明年上半年將把最尖端1b工藝擴大適用到高帶寬存儲器（HBM）新壹代產品等。”


郭道英 now@donga.com