이재용 회장, 기흥·화성 반도체캠퍼스 방문… “본원적 기술경쟁력 회복하자”

기흥 NRD-K서 차세대 반도체 개발 현황 직접 확인
제조 자동화·AI 기술 접목한 화성캠퍼스 운영 상황 점검
핵심 제품 개발 인력 격려

이재용 삼성전자 회장이 22일 경기 용인시 기흥과 화성에 위치한 반도체 캠퍼스를 연달아 방문해 연구개발과 생산 현장을 점검했다. 이번 방문은 글로벌 경쟁이 치열해지는 반도체 산업에서 미래 핵심 기술의 방향을 직접 확인하고, 연구·제조 조직을 격려하기 위한 일정의 일환이다.

이 회장은 오전 기흥캠퍼스의 차세대 연구단지 ‘NRD-K’를 찾아 시설 운영 현황을 보고받고, ▲메모리 ▲파운드리(반도체 위탁생산) ▲시스템반도체 등 주요 분야별 기술 개발 상황을 살폈다. NRD-K는 삼성전자가 공정 미세화로 인한 기술적 한계를 극복하고 신소재, 신구조 등 새로운 반도체 설계 기술을 확보하기 위해 조성한 첨단 복합 R&D 단지다. 이곳에서는 차세대 반도체의 공정 기술 검증과 설계 최적화 연구가 동시에 진행되고 있다.

이 회장은 연구진으로부터 공정 미세화(회로 선폭을 나노 단위로 줄이는 기술) 전략과 신기술 개발 추진 현황을 보고받으며, 연구개발 단계에서 생산 기술과의 연계를 강화해 실질적인 경쟁력을 확보할 필요성을 강조했다.

오후에는 화성캠퍼스로 이동해 디지털 트윈(디지털 공간에 실제 생산라인을 가상으로 구현하는 기술), 로봇, 인공지능(AI)을 적용한 생산 자동화 시스템의 구축 현황을 점검했다. 삼성전자는 화성캠퍼스를 중심으로 AI 기반 품질 관리, 공정 예측 시스템 등을 운영하며 스마트 제조 체제를 고도화하고 있다.

이날 이 회장은 전영현 DS부문장(디바이스솔루션), 송재혁 DS부문 CTO를 비롯한 주요 경영진과 함께 글로벌 반도체 산업 동향을 공유하고, 차세대 제품 전략과 기술 투자의 방향성을 논의했다. 특히 메모리와 시스템반도체 양 분야에서 시장 리더십을 유지하기 위한 연구개발(R&D) 집중 전략이 주요 논의 안건으로 다뤄졌다고 한다.

이후에는 HBM(고대역폭 메모리), D1c(급속 미세화된 D램 공정), V10(차세대 V낸드) 등 첨단 제품의 개발과 양산 과정에 직접 참여한 연구·생산·품질 부서 임직원들과 간담회를 가졌다. 이 회장은 현장의 어려움과 기술 개발 과정에서의 애로사항을 청취하고, “과감히 도전하고 꾸준히 투자해야 근본적인 기술 경쟁력을 되찾을 수 있다”며 격려의 메시지를 전했다.

이번 방문은 글로벌 경기 둔화와 반도체 업황 불확실성이 지속되는 상황에서, 이 회장이 기술 혁신 중심의 경영 기조를 다시 확인하고 현장의 실행력을 점검하려는 취지로 해석된다. 삼성전자는 향후에도 R&D 중심 투자와 인공지능 기반 제조 혁신을 강화한다는 방침이다.

김상준 기자 ksj@donga.com