삼성전자, 극자외선 공정 14나노 D램 양산

생산성-소비전력 20% 개선
DDR5 D램에 가장 먼저 적용

삼성전자가 반도체 회로를 보다 세밀하게 구현할 수 있는 극자외선(EUV) 공정을 통해 ‘14나노 D램’ 양산에 들어갔다고 12일 밝혔다.

EUV 공정은 기존 불화아르곤(ArF) 공정보다 빛 파장이 짧은 게 장점이다. 세밀한 반도체 회로 패턴을 구현할 때 쓰이는 기술이다. 삼성전자는 신공정을 토대로 차세대 D램 시장을 선도한다는 목표를 갖고 있다.

이날 삼성전자는 14nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) D램 양산 과정에서 EUV 노광 기술을 적용해 D램 성능과 수율을 향상시켰다고 설명했다. EUV 공정을 5개 레이어(회로층)에 적용해 최선단 14나노 D램을 구현했다. D램 제조 과정 중 여러 회로층에 EUV 공정을 적용하는 이른바 ‘멀티레이어’ 기술은 세계에서 삼성전자만 보유하고 있다.

삼성전자에 따르면 멀티레이어 EUV 공정이 적용된 14나노 D램은 웨이퍼 집적도가 업계 최고 수준으로 이전 세대 대비 생산성이 20% 향상됐다. 소비 전력도 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다. 삼성전자는 이번 신규 공정을 차세대 램인 DDR5 D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps(초당 기가바이트) 속도로 DDR4 대비 속도가 배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다.

삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 부응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb(기가비트) D램까지 양산할 방침이다. 삼성전자 측은 “업계 최선단의 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정 기술력을 기반으로 높은 성능과 안정된 수율을 구현해 DDR5 D램 대중화를 선도한다는 전략”이라고 설명했다.



임현석 기자 lhs@donga.com