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하이닉스반도체는 66nm(나노미터·1nm는 10억 분의 1m) 공정기술을 적용한 세계 최고속 1Gb(기가비트) 모바일 D램인 ‘LP(Low Power)DDR2’(사진) 제품을 개발했다고 6일 밝혔다.
하이닉스는 “LPDDR2의 데이터 전송속도(800Mbps)는 지난해 8월 개발한 LPDDR1 제품(400Mbps)의 2배”라며 “가로 9mm, 세로 12mm의 크기에 1.2V의 낮은 전압에서 작동하기 때문에 빠르게 진화하는 모바일 기기에 최적화된 제품”이라고 설명했다.
하이닉스는 이 같은 신제품의 개발과 판매를 강화해 현재 7%대인 모바일 D램시장 점유율을 20%대까지 끌어올릴 계획이다.
부형권 기자 bookum90@donga.com