삼성전자는 반도체의 집적도를 높이고 회로설계를 쉽게 할 수 있는 차세대 웨이퍼 가공기술(FD―SOI)을 개발했다고 13일 발표했다.
이 기술은 반도체 신호 전송속도를 크게 향상시키고 전략 소모량을 대폭 줄일 수 있는 기술로 회로선폭 0.25㎛(1㎛은 1백만분의 1m)의 초미세 공정에 사용, 1㎓ 이상의 초고속 중앙처리장치(CPU)를 생산할 수 있다.
〈홍석민기자〉smhong@donga.com
이 기술은 반도체 신호 전송속도를 크게 향상시키고 전략 소모량을 대폭 줄일 수 있는 기술로 회로선폭 0.25㎛(1㎛은 1백만분의 1m)의 초미세 공정에 사용, 1㎓ 이상의 초고속 중앙처리장치(CPU)를 생산할 수 있다.
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