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三星電子、16GbNANDフラッシュメモリを世界初開発

三星電子、16GbNANDフラッシュメモリを世界初開発

Posted September. 13, 2005 07:33,   

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三星(サムスン)電子の半導体成功神話がまたひとつ増えた。

メモリの容量が毎年2倍ずつ増えるだろうとした「黄(ファン=黄昌圭社長の姓)の法則」は、6年間にわたって証明されており、半導体の新成長論にさらに弾みがついている。

三星電子は12日、ソウル中区奬忠洞(チュング・チャンチュンドン)の新羅(シルラ)ホテルで記者会見を開き「世界に先駆けて50nm(ナノメートル・1nmは10億分の1m)工程を適用し、16Gb(ギガビット)ナンド(NAND)フラッシュメモリを開発した」と発表した。

爪の大きさのメモリチップ一つに16Gbのデータを保存でき、半導体の回路線幅は50nmで、髪の毛の太さの2000分の1に過ぎない。

黄昌圭(ファン・チャンギュ)半導体総括社長は、「来年下半期(7〜12月)に大量生産が開始されれば、フラッシュメモリが紙の情報保存および伝達機能にとって代わる『デジタル・ペーパー』時代が開幕するだろう」と説明した。

16Gbを利用すれば、最大で32GB(ギガバイト・1GBは8Gb)のフラッシュメモリカードが作れる。32Gbカードには、DVD並の画質の映画20本(32時間)やMP3の音楽ファイル8000曲(670時間)、または日刊紙200年分の情報が保存できる。

三星電子は、1999年の256Mb(メガビット)を皮切りに、毎年メモリ容量が2倍ずつ増えた製品の開発に成功してきた。さらに、半導体の回路線幅も01年の100nmから50nmまで縮めることに成功し、技術優位を保っている。



myzodan@donga.com