SK海力士26日公开了一项“iHBM”技术，该技术在人工智能用高性能存储半导体——高带宽存储器（HBM）内部，另行设计散热专用通道。这项技术将散热元件“ICE”直接植入HBM内部，可将热阻较现有方式降低30%以上，将从第8代HBM即HBM5开始应用。
HBM是将存储芯片堆叠多层，以快速处理人工智能运算所需数据的半导体。随着人工智能需求增加，正向堆叠层数更多、速度更快的方向发展，但性能越高，发热也越严重，这成为问题。尤其是HBM内部以超高速传输数据的连接区间是热量最集中的地方，攻克该部位发热的技术一直被视为下一代HBM竞争力的关键。
SK海力士的解决之道是在该位置直接植入散热元件。“ICE”由不导电但导热性好的硅材料制成。以往HBM需要将内部热量经过芯片本体导出至外部，而iHBM在发热最严重的部位加入ICE，相当于开辟了一条仅排出热量的专用通道。其原理类似于在发热处旁开凿了一个“通风口”。得益于此，在同等环境下温度保持较低，在极端条件下也能稳定运行。
该技术将从HBM5起应用。SK海力士说明，这项技术可直接沿用现有量产工艺，不影响大规模生产，且客户无需大幅更改设计即可引进，负担较小。SK海力士计划将其陆续应用于人工智能数据中心和高性能计算领域，提高系统整体的稳定性与效率。
SK海力士负责封装开发的副社长李康旭（音）表示：“iHBM是结合存储器设计实力与先进封装技术开发的发热最小化最佳解决方案”，“将在人工智能环境中先发提供客户所需的价值，进一步巩固人工智能存储器领导力。”
李敏娥记者 omg@donga.com
About Dong-A Ilbo