“SK海力士提前引入混合键合技术…第八代高带宽存储器HBM5三年后推出”

有预测称，SK海力士将提前引入下一代封装技术“混合键合”，于2029年左右推出第八代高带宽存储器“HBM5”。

据市场调查机构“Counterpoint Research”6日消息，SK海力士先发制人地引入了应用材料公司与BE半导体工业公司的一体化混合键合解决方案，在下一代高带宽存储器竞争中确保技术优势。据此，分析认为，SK海力士有望配合下一代人工智能（AI）图形处理器（GPU）的周期，在2029年至2030年左右实现HBM5的量产。

混合键合技术是指连接半导体芯片时，不再使用传统的微型金属凸点，而是将芯片直接贴合。该技术能缩小芯片间距并降低堆叠高度，可同时提升带宽、功率效率和信号处理速度，因而被视为下一代封装方式。

高带宽存储器是将多个DRAM垂直堆叠以提高数据处理速度的存储器，是人工智能和高性能计算领域不可或缺的产品。目前的压热键合方式最多可实现16层堆叠，但随着堆叠层数增加，发热、功率效率下降及信号干扰等问题日益凸显。由于英伟达等主要高带宽存储器客户要求更高的带宽和效率，半导体行业正推动向混合键合技术转型，以弥补现有工艺的局限性。


李敏娥记者 omg@donga.com