三星电子将于下月开始量产搭载于人工智能（AI）半导体上的高带宽存储器第六代产品HBM4。尽管在第四、五代HBM竞争中落后于对手，但三星被认为将在第六代产品上投出“超差距”胜负手，意图扭转局面。
据半导体业界26日消息，三星电子预计将从下月起开始为英伟达（NVIDIA）等大型科技客户供货而量产HBM4。HBM4是计划年内发布的英伟达“Rubin”和AMD“MI450”等最新AI半导体将搭载的下一代高带宽存储器。
据悉，目前三星电子的HBM4在性能方面展现出业界最高水平。其数据传输速度达每秒11.7Gb（千兆比特），大幅超过业界要求的10Gb。上一代产品HBM3E的最高速度为每秒9.6Gb。
分析认为，三星电子HBM4能实现高性能，源于其产品构成的半导体部件均实现了最高水准。连接高带宽存储器底部动态随机存取存储器与图形处理器（GPU）、起高带宽存储器大脑作用的逻辑芯片采用4纳米制程设计；核心部件动态随机存取存储器则采用了最新的第六代（1c，11纳米级）技术。SK海力士的HBM4由12纳米逻辑芯片和第五代（1b，12纳米级）动态随机存取存储器构成。半导体制程越精细，集成度越高，数据处理速度越快，能效也越佳。
此前业界曾评价三星电子是在进行鲁莽的挑战。有观点认为，在第四、五代高带宽存储器（即HBM3、HBM3E）落后于竞争对手的情况下，采用过于超前的技术将难以稳定实现性能。特别是逻辑芯片的核心在于代工技术，与SK海力士携手台积电形成对比，三星电子宣称将依靠自身制程完成，加剧了担忧。因为目前在代工领域，台积电被认为优于三星电子。
三星电子推翻了这些担忧，成功将HBM4的性能及良率（正品比率）提升至正常轨道，并获得客户认可。KB证券研究本部部长金东元（音）表示：“预计三星电子的HBM4将实现业界最高水平的性能。”证券公司预测，三星电子今年在高带宽存储器市场的占有率将跃升至30%左右，约为原有的两倍。
近期，在英伟达独大的AI半导体市场中，谷歌、博通、AMD等竞争对手正在崛起，这也是三星HBM4受到关注的原因。业界相关人士表示：“各企业正试图通过使用性能稍高的高带宽存储器来实现产品差异化。”预计三星HBM4也将搭载于谷歌的下一代AI芯片张量处理器（TPU）上。
与HBM4相关的具体计划及日程轮廓预计将在29日的业绩发布会上显现。三星电子和SK海力士将于当天发布去年第四季度（10月至12月）业绩。
朴贤益记者 beepark@donga.com
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