三星电子全球率先开发的10纳米级DRAM国家核心技术遭泄露至中国，包括三星电子前高管在内的共10人被移送审判。调查发现，为逃避侦查，他们内部共享行动指南和暗号，有组织地实施了犯罪。
首尔中央地方检察厅信息技术犯罪调查部（部长检察官金允用）23日表示，以违反《产业技术保护法》（向国外泄露国家核心技术等）和《防止不正当竞争法》（向国外披露商业秘密等）的罪名，对三星电子前部长金某（58岁）等5人予以逮捕起诉，其余5人则不予逮捕起诉。
金某等人被指控自2016年起非法获取三星电子耗时5年、投入1.6万亿韩元全球首创的18纳米DRAM工艺信息，并泄露给中国长鑫存储（CXMT）。特别是三星电子前研究员全某（57岁）亲自手抄数百道工序信息进行泄露，长鑫存储基于该资料于2023年成功实现中国首款10纳米级DRAM的量产。
在此过程中，SK海力士的技术也遭进一步泄露。曾负责长鑫存储清洁工序的另一名金某（56岁），于2020年6月通过SK海力士合作企业非法获取属于国家核心技术和商业秘密的DRAM工艺信息，被移送审判。检方预估，仅因本次泄露导致的去年三星电子销售额减少额就达5万亿韩元，今后对国家经济造成的整体损失将达数十万亿韩元。
这些人的犯罪手法堪比谍战电影。据检方透露，他们设立空壳公司并定期更换办公地点，共享“要时刻假设周围有国家情报院等人员监视”的行动指南。尤其规定在发生禁止出境或被捕等紧急情况时，需向同伙发送暗号“♥♥♥♥”（四颗心形符号）传递情报。
检方相关负责人表示：“今后将对严重威胁国家经济和技术安全的产业技术海外泄露犯罪予以严肃应对。”
崔美松记者 cms@donga.com
About Dong-A Ilbo