去年半导体技术外泄事件创历史新高……量刑委员会讨论加强处罚措施

据调查，去年韩国国内半导体技术泄露到海外的揭发件数创下了历史最高纪录。大法院量刑委员会计划讨论加强对技术泄露犯罪的处罚方案，并于今年3月最终表决。

8日，据韩国的希望（Hope of Korea）梁香子议员室透露，国家情报院去年揭发的半导体技术海外泄露事件达13件，是历届最多的一次。这比2022年的9件增加了44%（4件）。最近，半导体技术海外泄露事件在2016年至2018年间每年被揭发1起，2019年和2020年分别有3起和6起，呈增加趋势。据分析，这是随着全球半导体竞争加剧，瞄准国内技术的海外政府及企业尝试增加，韩国调查机关也积极进行揭发的结果。

据调查，去年被揭发的大部分事件都是在过去数年前发生的。据调查，3日三星电子前部长金某被拘留起诉的事件也发生在2016年。金某涉嫌擅自将18纳米DRAM工艺信息泄露给中国长鑫存储（CXMT）。

技术泄露不仅在半导体领域，在显示器、二次电池、汽车、造船等韩国主力产业也全方位发生，对国家安保及经济构成威胁。最近，庆南警察厅产业技术安保调查队以涉嫌盗取潜艇设计图纸为由，对大宇造船海洋（现韩华海洋）的2名职员展开了调查。

技术泄露事件不断发生的主要原因之一就是“技术泄露带来的利益远远大于揭发时的损失”。大法院量刑委员会8日召开定期会议，就技术泄露犯罪，讨论了法院判决方针的量刑标准上调范围等。国家核心技术泄露的法定刑期为3年以上有期徒刑，但量刑标准为1年~3年6个月，低于法定刑。因此，产业通商资源部向量刑委员会提出了量刑标准至少应上调至3年6个月~5年的意见。

梁议员表示：“技术泄露是有计划、秘密进行的犯罪，因此现在暴露的事件只是冰山一角”，“应该严格处罚泄露者，并彻底建立事前预防系统。”


朴贤益记者、张恩智记者 beepark@donga.com