三星电子批量生产极紫外光刻工艺14纳米DRAM

三星电子12日表示，通过能够更加细致地体现半导体电路的极紫外光刻(EUV)工艺，开始批量生产“14纳米DRAM芯片”

EUV工艺的优点是光波比现有的ArF光刻工艺要更短。这是体现细致的半导体电路模式时使用的技术。三星电子的目标是以新工艺为基础，引领新一代DRAM市场。

　当天，三星电子解释说，在批量生产14纳米(1纳米是10亿分之1米)DRAM的过程中，采用EUV光刻技术提高了DRAM的性能和产量。将EUV工艺应用于5个层(电路层)，实现了最先进的14纳米DRAM。在DRAM制造过程中，在多个电路层适用EUV工艺的所谓“多层(Multi-layer)”技术在世界上只有三星电子拥有。

　据三星电子透露，采用多层EUV工艺的14纳米DRAM晶体集成度达到业界最高水平，生产效率比上一代提高了20%。功耗也比之前的工艺降低了20%左右。三星电子将此次新工艺最先应用于新一代内存DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM的规格，最高速度为7. 2Gbps(每秒千兆字节)，这是DDR4速度(3.2Gbps)的2倍多。高性能DDR5主要用于数据中心、超级计算机、企业服务器市场等。

　三星电子为适应高容量数据市场的需求，计划通过此次工艺批量生产单一芯片最大容量24Gb(千兆比特)DRAM。三星电子方面解释说：“我们的战略是，以业界最先进的14纳米工艺和高成熟度的EUV工艺技术为基础，体现高性能和稳定的收率，引领DDR5 DRAM的大众化。”


林賢錫 lhs@donga.com