20日，三星电子表示，成功开发出了电路线直径为60纳米（nm，1纳米等于10亿分之1米，相当于发丝直径的2000分之1）的8GNADN型闪存。
此外，三星电子还公开了将已位居世界首位的存储器半导体和手机用中央处理器（CPU）等非存储器半导体同步发展的经营战略。
三星电子全权负责半导体事业的总经理黄昌圭当天在汉城新罗酒店召开记者招待会，做出了上述表示，并称，“随着世界上首次在闪存上将60纳米技术商用化，三星电子在半导体纳米技术方面已成为‘绝对强者’。”他还表示，“明年将批量生产适用该技术的产品。”
利用60纳米闪存可以制作的16G闪存可存储10部DVD级高画质影片或4000多首MP3音乐。
三星电子于2001年推出100纳米产品后，2002年和2003年又分别推出了90纳米和70纳米产品，在世界半导体行业推出了最尖端产品。
三星电子当天还推出了世界上容量最大的新产品“80纳米级2G DDR2DRAM”和到目前为止推出的产品中，处理数据速度最快的667MHz手机用中央处理器。
黄昌圭表示，“继已经位居世界首位的DRAM、SRAM、闪存等存储器半导体之后，今年在多芯片封装（MCP）领域也将登上世界第一位，而且到2007年为止，在手机用中央处理器、相机手机用形象大型集成电路（CIS）等非存储器半导体领域也将成为世界第一。”
8GNADN型闪存是即使断电，所存储的信息也不会消失的闪存中，使用速度最快，而且非常适合存储很多信息的产品，用于数码相机、MP3播放器、手机等产品的存储媒体。
朴重炫 sanjuck@donga.com
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