SK海力士在世界上首次开发出“12层堆叠DRAM”HBM3

SK海力士在世界上首次开发出了垂直堆叠12个DRAM芯片的现有最高容量24GB（千兆字节）HBM3新产品。计划攻占因ChatGPT等人工智能（AI）聊天机器人普及等逐渐扩大的AI半导体市场。

SK海力士20日表示：“继去年6月在世界上首次批量生产HBM3后，此次又成功开发出了容量提高50%的24GB套餐产品。”HBM是将多个DRAM垂直连接起来，比现有的DRAM提高了数据处理速度的产品。现有的HMB3的最大容量是垂直堆叠8个DRAM单品芯片的16GB。

HBM3被评价为能快速处理大量数据的特殊存储器。可以用于要求高半导体性能的生成型AI，因此大型科技企业对相关产品的需求正在增加。据悉，目前多家全球客户公司收到了24GB的HBM3样品，正在进行性能验证。

SK海力士在此次产品上还采用了高级MR-MUF技术。高级MR-MUF技术是为了保护半导体芯片和芯片之间的电路，在空间之间注入液体形态的保护材料的工艺。SK海力士副社长（P&T负责人）洪尚厚表示：“以世界最先进的后工艺技术力为基础，可以接连开发出超高速、高容量的HBM产品”，“上半年（1~6月）内完成此次新产品批量生产的准备，将巩固AI时代最尖端DRAM市场的主导权。”


具特敎 kootg@donga.com