三星電子將于下月開始量産搭載于人工智能（AI）半導體上的高帶寬存儲器第六代産品HBM4。盡管在第四、五代HBM競爭中落後于對手，但三星被認爲將在第六代産品上投出“超差距”勝負手，意圖扭轉局面。
據半導體業界26日消息，三星電子預計將從下月起開始爲英偉達（NVIDIA）等大型科技客戶供貨而量産HBM4。HBM4是計劃年內發布的英偉達“Rubin”和AMD“MI450”等最新AI半導體將搭載的下壹代高帶寬存儲器。
據悉，目前三星電子的HBM4在性能方面展現出業界最高水平。其數據傳輸速度達每秒11.7Gb（千兆比特），大幅超過業界要求的10Gb。上壹代産品HBM3E的最高速度爲每秒9.6Gb。
分析認爲，三星電子HBM4能實現高性能，源于其産品構成的半導體部件均實現了最高水准。連接高帶寬存儲器底部動態隨機存取存儲器與圖形處理器（GPU）、起高帶寬存儲器大腦作用的邏輯芯片采用4納米制程設計；核心部件動態隨機存取存儲器則采用了最新的第六代（1c，11納米級）技術。SK海力士的HBM4由12納米邏輯芯片和第五代（1b，12納米級）動態隨機存取存儲器構成。半導體制程越精細，集成度越高，數據處理速度越快，能效也越佳。
此前業界曾評價三星電子是在進行魯莽的挑戰。有觀點認爲，在第四、五代高帶寬存儲器（即HBM3、HBM3E）落後于競爭對手的情況下，采用過于超前的技術將難以穩定實現性能。特別是邏輯芯片的核心在于代工技術，與SK海力士攜手台積電形成對比，三星電子宣稱將依靠自身制程完成，加劇了擔憂。因爲目前在代工領域，台積電被認爲優于三星電子。
三星電子推翻了這些擔憂，成功將HBM4的性能及良率（正品比率）提升至正常軌道，並獲得客戶認可。KB證券研究本部部長金東元（音）表示：“預計三星電子的HBM4將實現業界最高水平的性能。”證券公司預測，三星電子今年在高帶寬存儲器市場的占有率將躍升至30%左右，約爲原有的兩倍。
近期，在英偉達獨大的AI半導體市場中，谷歌、博通、AMD等競爭對手正在掘起，這也是三星HBM4受到關注的原因。業界相關人士表示：“各企業正試圖通過使用性能稍高的高帶寬存儲器來實現産品差異化。”預計三星HBM4也將搭載于谷歌的下壹代AI芯片張量處理器（TPU）上。
與HBM4相關的具體計劃及日程輪廓預計將在29日的業績發布會上顯現。三星電子和SK海力士將于當天發布去年第四季度（10月至12月）業績。
朴賢益記者 beepark@donga.com
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