開發出可使用1000億次的尖端FRAM材料

浦項工業大學研究小組成功開發出讀寫1000億次也不損耗資訊的新物質，它可製作具有卓越性能的FRAM記憶體晶片。

FRAM與讀寫數百萬次便損耗資訊的記憶體DRAM不同，是可以半永久性地保存資訊的非揮發性記憶體晶片。

14日，浦項工業大學新材料工程系張鉉明（49歲，照片）教授小組表示，利用鉍、釹、鈦系列的物質已成功開發出自發分極效應非常明顯，且可半永久性地讀寫資訊的劃時代的電容器，它將用於FRAM薄膜。所謂的自發分極是指，在單位容量上發生的雙電極的大小。在FRAM中，自發分極越大，越能明確傳達資訊。該研究成果將刊登在物理學領域最具權威的刊物《物理學會期刊》（Physical Review Letters）的8月刊上。

截止到目前，三星電子、東芝、日立等半導體企業在FRAM記憶體的開發上，以PZT（鋁、鉛、鈦）和SBT（鍶、鉍、鈦）爲主要材料。但它們的缺點是，PZT在反復使用中將損耗資訊，而SBT只能在攝氏700度的高溫下才能得以製造。

張教授稱，“如果發展該研究成果，目前在DRAM領域具有世界最高水準的韓國，在FRAM領域也將可以掌握主導權。”

該晶片是利用被高頻率的交流電磁場而誘導的雙電極的方向性的新型記憶體晶片。由於該晶片是非揮發性的，並且可高速記錄資訊，再加上耗電量少，所以在“下一代記憶體晶片”中將獨領風騷。

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