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KAIST在美國向三星電子和高通等3家公司發起專利權訴訟

KAIST在美國向三星電子和高通等3家公司發起專利權訴訟

Posted December. 01, 2016 07:11   

Updated December. 01, 2016 07:30

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韓國科學技術院(KAIST)的知識産權管理公司KAIST IP,于上月29日(當地時間)向美國得克薩斯州聯邦法院對三星電子美國法人及格羅方德(GF)、高通(Qualcomm)等3家企業提起要求對方支付半導體技術專利使用費的“專利侵害訴訟”。KAIST方面主張表示,以上三家企業擅自盜用了首爾大學電氣信息工程系教授李鍾浩和KAIST共同擁有的半導體技術特許權。

 成爲問題的技術是被稱爲“FinFET”的超小型晶體管。高集成化半導體通過超小型體現、其性能也不會下降並能提高電力效率的該晶體管,被認爲是體現目前正在生産銷售的高性能手機的核心技術之一。

 該技術已經被多家企業用在自家的産品上了。美國英特爾公司于2011年在自家産品上使用FinFET,2012年正式承認其技術力量並簽訂了特許合同。KAIST IP的主張是,之後三星電子和格羅方德、台灣的TSMC(積電)也以FinFET爲基礎制造手機半導體芯片並推出産品,但一直沒有支付專利使用費。世界最大的手機半導體企業高通也一直從三星電子和格羅方德那裏得到相關産品的供應。

 據悉,三星電子目前在包括“Galaxy”系列在內的10多款手機型號上都在使用FinFET。姜代表表示,“雖然FinFET開發當時提出了協約,但三星電子並沒有接受,在2013年以後開始使用FinFET制造手機半導體後也全面拒絕支付專利使用費。”對此三星電子表示,“案件正在訴訟中,因此不便單獨發表立場。”



宋京恩記者 kyungeun@donga.com