삼성전자는 미국 IBM 등과 전략적 제휴를 맺고 300mm 웨이퍼(반도체 원판)용 32nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 로직기술 공동 개발에 착수하기로 합의했다고 23일 밝혔다.
로직기술은 휴대기기용 중앙처리장치(CPU)와 디지털TV용 전자칩 등 비메모리 반도체를 생산하는 데 필요한 공정기술을 말한다.
이번 32mm 로직기술 공동 개발은 삼성전자와 IBM 외에도 미국 프리스케일, 독일 인피니온, 싱가포르 차터드 등 5개 회사가 참여하는 공동 프로젝트다. 기술 개발은 2010년 완료될 예정이다.
문권모 기자 mikemoon@donga.com