반도체 강국 이끈 황철성 ‘최고과학기술인상’

메모리 분야 신소자-물질 발견 기여
네이처 발표 논문은 2450회 인용돼
2018년 인촌상 과학-기술부문 수상

올해 대한민국 최고과학기술인상 수상자로 메모리 반도체 분야 석학인 황철성 서울대 석좌교수(61·사진)가 선정됐다.

과학기술정보통신부와 한국과학기술단체총연합회는 기존 디램(DRAM), 낸드플래시 등 메모리 반도체 분야를 뛰어넘는 새로운 소자와 물질 발견에 큰 기여를 한 황 교수를 올해 수상자로 선정했다고 3일 밝혔다. 황 교수는 이런 성과를 인정 받아 앞서 2018년 인촌상 과학·기술 부문 수상자로 선정되기도 했다.

과기정통부는 황 교수가 과학논문인용색인(SCI)급 논문 750편을 발표하고 국내외 특허 227건을 출원하는 한편 기술이전 16건을 달성하는 등 학술 연구뿐 아니라 국내 반도체 산업 발전에도 크게 공헌하고 있다고 밝혔다.

황 교수가 2010년 국제학술지 ‘네이처 나노테크놀로지’에 발표한 저항 변화 메모리 소자 전환 메커니즘에 관한 논문은 현재까지 무려 2450회 이상 인용됐다. 이는 저항 변화 메모리 반도체 분야에서 인용 빈도 수가 상위 5번째 안에 들 만큼 해당 분야에서 영향력이 크다고 평가 받는다.

황 교수는 서울대 무기재료공학과에서 학사, 석사, 박사를 마쳤으며 삼성전자 반도체연구소에서 선임연구원으로 근무한 뒤 1998년부터 모교인 서울대 재료공학부 교수로 재직해 왔다. 현재까지 석사 65명, 박사 100명을 배출하는 등 차세대 반도체 분야의 전문 인력을 양성하는 데에도 기여하고 있다. 현재 황 교수는 뇌처럼 작동하는 뉴로모픽 반도체 개발 연구를 진행하고 있다.

과기정통부는 9일 한국과학기술회관에서 개최하는 올해 세계 한인 과학기술인대회 개회식에서 수상자에게 대통령 상장과 상금 3억 원을 수여할 계획이다.



최지원 기자 jwchoi@donga.com