삼성전자, D램에 극자외선 기술 적용

업계 최초… 성능-수익성 좋아져
내년부터 양산… 기술격차 더 벌려

삼성전자가 메모리 업계 최초로 D램에 극자외선(EUV) 공정을 적용하고 양산 준비를 마쳤다. 빛으로 웨이퍼에 회로를 그리는 EUV는 기존 불화아르곤(ArF) 기술보다 세밀한 반도체 회로를 구현할 수 있고 수익성도 더 높아진다. 시스템반도체에 도입한 EUV 공정을 D램에도 적용하면서 메모리반도체 미세공정의 한계를 또 한번 뛰어넘을 것으로 보인다.

삼성전자는 EUV 공정으로 생산한 1세대(1x) 10nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m)급 DDR4 D램 모듈 100만 개 이상을 공급해 글로벌 고객의 평가를 완료했다고 25일 밝혔다.

EUV 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 ‘멀티 패터닝’ 공정을 줄이면서 정확도는 더 높아져 성능과 수율이 높아진다는 게 회사 측의 설명이다.

저렴하고 성능 좋은 제품이 나오면서 삼성전자의 시장지배력도 강화될 것으로 보인다. 지난해 3분기(7∼9월) 기준 삼성전자는 전 세계 D램 시장의 44.4%를 차지하고 있다. 삼성전자는 현재 EUV 공정을 도입해 개발 중인 14나노 초반대 4세대 10nm급(1a) D램 양산 기술을 바탕으로 내년부터 1a D램 양산에도 돌입할 계획이다. 회사는 고객들과의 다양한 표준화 활동을 추진해 차세대 시스템에서의 탑재 비중을 지속적으로 높여나갈 방침이다. 동시에 5세대, 6세대 D램의 선행 개발도 진행한다.

삼성전자는 또 늘어나는 차세대 프리미엄 D램 수요에도 안정적으로 대응할 수 있도록 올해 하반기(7∼12월)부터 경기 평택의 신규 라인을 가동한다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 부사장은 “내년에도 혁신적인 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 정보기술(IT) 시장이 지속적으로 성장하는 데 기여할 것”이라고 밝혔다.
허동준 기자 hungry@donga.com