SK하이닉스는 기술경쟁력 강화를 통해 글로벌 시장에서의 선도적 위치를 지켜나간다는 방침이다.
박성욱 SK하이닉스 부회장은 4차 산업혁명의 소용돌이 속에서 빠른 변화 대응 역량이 기업 경쟁력으로 부상하고 있다는 점을 늘 강조하고 있다. SK하이닉스 역시 딥 체인지(Deep Change)를 통해 새로운 가능성을 확보해야 할 시점이라고 주문한다. 이에 SK하이닉스는 올해 기술 중심 회사로의 입지를 강화하면 지속 성장 기반을 다지는 데 집중할 계획이다.
D램은 현재의 20나노급 제품 대비 원가절감 효과가 큰 10나노급 제품을 올해 3분기(7∼9월) 중 양산할 계획이다. 이를 통해 D램 사업에서 수익성을 극대화하고 모바일 및 서버 D램 분야에서의 기술리더십을 더욱 강화한다.
낸드플래시는 기존 16나노 제품보다 공정을 더욱 미세화한 14나노 제품 비중을 확대해 수익성을 강화하고 있다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체다. 연말에는 SK하이닉스의 전체 낸드플래시 중 3차원(3D) 공정 제품이 차지하는 비중이 2D를 넘어설 것으로 전망된다. SK하이닉스는 최근 72단 256Gb(기가비트) 3D 낸드플래시 개발에 성공했다. 칩 내부에 고속 회로 설계를 적용해 동작 속도를 2배로 높이고, 읽기와 쓰기 성능도 20%가량 향상시켰다.
SK하이닉스는 기술 경쟁력 강화를 위해 지난해 6조2920억 원을 투자한데 이어 올해는 사상 최대 규모인 7조 원 수준의 투자를 계획하고 있다. 낸드플래시 수요 확대에 대응하기 위해 2019년 6월까지 2조2000억 원을 투자해 충북 청주에 최첨단 반도체 공장을 건설할 예정이다.
연구개발(R&D)비도 지난해 매출액 대비 12.2%에 달하는 2조967억 원을 집행했다. 처음으로 2조 원을 넘긴 것이다. 올해 1분기(1∼3월)에도 5920억 원을 R&D에 투자했다. SK하이닉스 관계자는 “기술 집약 산업인 메모리 반도체 산업의 주도권을 지키기 위해 전략적 투자를 이어가고 있다”며 “과감한 R&D 투자를 통해 글로벌 메모리 시장을 선도하는 업체로 위상을 높여나갈 것”이라고 말했다.
신수정 기자 crystal@donga.com