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베렉스, 초고주파 대역용 고전력·고효율 pHEMT 상용화

입력 | 2011-07-21 14:08:50


무선 이동통신 장비 부품 국산화·해외 진출 동시에 이뤄
  

100% 수입에 의존해 왔던 초고주파 대역(microwave)용 고전력·고효율 pHEMT(pseudomorphic high electron mobility transistor)가 국내 기업에 의해 상용화됐다. 초고주파 대역은 미국과 유럽에서 널리 활용되고 있어 수출 증대 효과도 기대된다.
 
무선통신 장비용 제품 전문기업인 베렉스(대표 이남욱, www.berex.com )는 셀룰러(cellular), PCS(personal communication system), LTE(long term evolution) 등 국내외 무선 이동통신 장비용 RF MMIC를 상용화한 데 이어, 국내 최초로 3GHz 이상 초고주파 대역에서 사용 가능한 고성능의 pHEMT 7종의 개발에 성공해 판매를 시작한다고 21일 밝혔다.
 
초고주파 pHEMT는 6~18GHz의 광대역(wideband)의 대역폭(bandwidth) 특성이 필요한 제품의 응용 분야뿐만 아니라 수백MHz 또는 1~2 GHz의 협대역(narrowband)의 대역폭 응용에도 적합해 3 GHz 이하의 RF 대역과 3GHz 이상의 초고주파 대역에서 광범위하게 사용 가능하다.
 
국내 시장 규모 자체는 크지 않지만 전량 수입에 의존해 왔던 만큼 이번 개발을 통해 상당 부분수입을 대체할 수 있을 것으로 기대된다.
 
해외 시장 진출에 대한 전망도 밝다. 이미 유럽은 6천만 달러, 미국은 천만 달러 규모의 초고주파 시장이 형성되어 있다. 이제까지는 미국과 일본 업체가 시장을 차지하고 있었지만, 더욱 우수한 성능의 베렉스 pHEMT 7종이 시판되면 한국산 무선 이동통신용 반도체 부품 수출이라는 새로운 장을 마련할 수 있을 것으로 보인다.
 
베렉스 pHEMT 7종은 모두 동일한 0.25um의 미세한 게이트 길이를 가지며, 200~2400um의 게이트 폭을 갖도록 설계되었다. 각각의 게이트 폭에 따라 0.2~2.5W의 출력 전력을 갖고, 60% 이상의 높은 전력부가 효율(PAE, power added efficiency)을 나타내는 등 기존 해외 제품에 비해 출력 전력이 우수한 것이 특징이다.
지난 해부터 6개월 간 집중적인 투자와 개발이 이뤄졌고, 최근 소비자 테스트를 모두 마쳤다. 현재는 chip(bare die) 형태로 시판되고 있으며, 빠른 시일 내에 패키지(package) 형태로도 제작하여 판매할 계획이다.
 
이남욱 사장은 “이번 성과를 계기로 미국과 일본이 독점하고 있는 RF 및 초고주파 대역에서 무선 이동통신 장비 부품 국산화와 수출증대를 하게 됐다”며 “한국 기업이 장비뿐만 아니라 부품 분야에서도 세계 최고 수준임을 전 세계에 알릴 수 있을 것”이라고 밝혔다.
 
한편 베렉스는 무선 이동통신용 RF 및 초고주파용 MMIC 부품을 전문으로 하는 벤처기업으로 국내 최초로 RF 스위치(모델명: BSW841)를 개발한 바 있다. 서울과 미국 실리콘밸리에 연구소가 위치해 있으며, 현재 국내외 260여개 중계기·기지국 제조 업체에 증폭기(amplifier) 및 분배기(divider) 등의 무선통신용 장비의 MMIC 부품을 공급하고 있다.


<본 자료는 해당기관에서 제공한 보도 자료입니다.>
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