현대전자가 차세대 메모리 반도체인 16기가D램을 만들 수 있는 초미세회로 기술을 개발했다.
현대전자(대표 김영환·金榮煥)는 17일 “선폭이 0.09㎛(1㎛〓1백만분의 1m)인 초미세 회로 형성 기술 개발에 세계 최초로 성공해 관련 기술 10건을 국내외에 특허출원했다”고 밝혔다. 0.09㎛는 머리카락 두께의 1천분의 1정도. 현재 생산중인 2백56메가 제품의 경우 0.18㎛급의 회로를 사용한다.
현대전자 선행기술연구소 백기호(白基鎬)박사는 “이번 회로 기술은 4기가D램급 이상의 차세대 메모리 제조에 필요한 핵심기술로 16기가D램의 개발 시기도 2년 가량 앞당길 수 있을 것”이라고 밝혔다.
현재 업계에선 1기가D램 제품까지 발표된 상태. 미국반도체협회(SIA)측은 4기가D램은 2003년에, 16기가D램은 2006년경에 샘플 제품이 나올 것으로 예측하고 있다.
현대전자는 이번 기술 개발에 ‘전자빔 노광장비’를 사용했다고 밝혔다. 노광장비는 사진 기법을 이용해 필름 역할을 하는 마스크에 빛 등을 통과시켜 웨이퍼에 회로를 그려내는 반도체 공정의 핵심 장비. 빛을 이용한 기존의 광학 노광장비를 이용할 경우 1기가D램까지는 만들 수 있지만 4기가D램부터는 차세대 비광학 장비가 필수적이다.
〈홍석민기자〉smhong@donga.com