三星電子世界最先成功開發出了40 nm（納米、1 nm爲10億分之1米）32千兆（Gb）NAND快閃記憶體。
另外，開發出了能夠代替在過去35年來一直在半導體業界使用的美國英代爾公司NAND型Flash技術的新概念“CTF（Charge Trap Flash）”技術。CTF技術成爲了此次NAND型快閃記憶體開發的基礎。
三星電子總管半導體事務的總經理黃昌圭11日在首爾中區獎忠洞新羅酒店召開記者會，表示：“世界最先適用40納米工程，開發出了32千兆NAND快閃記憶體。”並稱：“從2008年開始，將批量生産。”
“如果去年是‘Flash Rush’之年，那麽今年就將成爲爲進入打開新的數碼世界的‘Flashtopia’做準備的第一年。”
11日，三星電子總管半導體事務的總經理黃昌圭將開發出40納米32千兆 NAND型快閃記憶體的意義稱爲“用快閃記憶體來體現的烏托邦世界”，即，概括成爲了Flashtopia。
他表示，去年的代名詞——“Flash Rush”是指隨著所有的攜帶用儲存裝置被快閃記憶體代替，快閃記憶體市場將爆發性地增長。
“Flashtopia”是指Flash超越了單純的資訊儲存、攜帶裝置，帶有提升人類整體的生活質量的更加廣泛的意義。
三星電子方面表示：“把除了創造性的思維和對家庭付出情感的事情之外的一切都交給快閃記憶體吧。”並確信快閃記憶體將給我們的整個生活産生很大的影響。
○ 夢想的“兆兆比特時代”
隨著三星電子世界最先發表40納米32千兆 NAND快閃記憶體，“Tb（1Tb爲1千兆的1000倍）時代”已經來到我們的眼前。
將文字和照片、音樂、視頻等我們的生活所需的所有資訊存入快閃記憶體中儲存，在需要時可以隨時自由提取適用的資訊革命已經實現。
40納米32千兆 NAND型快閃記憶體是在大拇手指甲大小的記憶體上集成了328億個記憶體基本原件。
尤其等到2008年該記憶體被批量生産，將可以製造64千百萬位元組（GigaByte、千兆）存儲卡的製作，在一張存儲卡中，能夠儲存綜合日報400年的內容。
黃昌圭總經理解釋說：“可以將1年來發生在眼前的事情全部都儲存到一個小小的半導體晶片中的時代到來。”
快閃記憶體與硬碟相比，輕便許多，速度也快得多，而且消耗的電力也少很多，因此將能夠實現不受儲存容量的制約的數碼生活。另外，曾是快閃記憶體最大屏障的價格也在大幅下降，因此預計在實際生活中的適用範圍將進一步拓寬。
○ 成長和競爭的半導體記憶體市場
三星電子預測，到了40納米32千兆 NAND型快閃記憶體産品被正式批量生産的2008年以後，將形成500億美元（約47.5萬億韓元）規模的NAND型Flash市場。
三星電子今年首次將NAND型快閃記憶體適用在PC（個人電腦）上，推出了沒有硬碟的“數碼PC”之後，計劃將此次發表的40納米32千兆 NAND型擴大適用到所有的數碼産品上。
三星電子方面表示：“快閃記憶體的登場，是可以與紙、火藥、指南針等相媲美的人類的革命性發明品。”並解釋說：“記憶體市場將跨越PC市場的界限，面向的是手機等10億人以上的移動及數碼消費者市場。”
尤其是在面臨微軟的新電腦作業系統——“Windows Vista”和索尼的遊戲機——“Playstation 3”將於今年年末或是明年年初面市的情況下，體現3維立體影像的D記憶體市場預計也將大幅擴大。
另外，美國的英代爾和美光今年成立合作公司，進入了NAND型Flash的批量生産，東芝等日本企業和臺灣企業也紛紛增設設備等，半導體記憶體市場的競爭正變得越來越激烈。
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