三星電子批量生産極紫外光刻工藝14納米DRAM

三星電子12日表示，通過能夠更加細致地體現半導體電路的極紫外光刻(EUV)工藝，開始批量生産“14納米DRAM芯片”

EUV工藝的優點是光波比現有的ArF光刻工藝要更短。這是體現細致的半導體電路模式時使用的技術。三星電子的目標是以新工藝爲基礎，引領新一代DRAM市場。

　當天，三星電子解釋說，在批量生産14納米(1納米是10億分之1米)DRAM的過程中，采用EUV光刻技術提高了DRAM的性能和産量。將EUV工藝應用于5個層(電路層)，實現了最先進的14納米DRAM。在DRAM制造過程中，在多個電路層適用EUV工藝的所謂“多層(Multi-layer)”技術在世界上只有三星電子擁有。

　據三星電子透露，采用多層EUV工藝的14納米DRAM晶體集成度達到業界最高水平，生産效率比上一代提高了20%。功耗也比之前的工藝降低了20%左右。三星電子將此次新工藝最先應用于新一代內存DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM的規格，最高速度爲7. 2Gbps(每秒千兆字節)，這是DDR4速度(3.2Gbps)的2倍多。高性能DDR5主要用于數據中心、超級計算機、企業服務器市場等。

　三星電子爲適應高容量數據市場的需求，計劃通過此次工藝批量生産單一芯片最大容量24Gb(千兆比特)DRAM。三星電子方面解釋說：“我們的戰略是，以業界最先進的14納米工藝和高成熟度的EUV工藝技術爲基礎，體現高性能和穩定的收率，引領DDR5 DRAM的大衆化。”


林賢錫 lhs@donga.com