三星電子在主打商品DRAM中再次實現升級換代，提高了30%的生産效率。預計，保持競爭對手無論如何都難以跟上的技術差距的三星電子的“超差距戰略”將會更加一往無前。
三星電子20日表示，“從上月開始，世界上首次批量生産第二代(1y納米)10納米級DRAM‘10納米級8Gb DDR4 (Double Data Rate 4)’。”1納米(納米•nm)是10億分之1米，10納米級，意味著電路的線寬在10納米左右。一般來說，電路的線寬粗細越細，在半導體的主材料晶片上能生成芯片的數量越多，生産效率就越高。由于可以用同樣的工序制造更多的産品，因此價格競爭力會提高。三星電子解釋說，“與第一代産品相比，生産效率提高了30%。”
三星電子去年2月成功批量生産第一代10納米級的8Gb DRAM，在世界上首次開啓了10納米級DRAM時代。此次，通過大幅減小電路線寬，在世界上成功批量生産了芯片尺寸最小的第二代産品，時隔21個月再次獨自克服了半導體細微工藝的難題。特別是，在引入被認認爲是制造新一代産品時必不可少的“極紫外線(EUV)曝光機”之前，成功改善了産品，從而構築了能夠及時應對全球高端DRAM需求增加的競爭力。
此次的第二代10納米級DRAM産品采用了超高速、超節電、超小型電路設計等最新工藝技術。與現有的第一代産品相比，速度提高10%以上，耗電量節省15%以上。與三星在2012年批量生産的20納米級4Gb DDR3相比，容量和速度、耗電效率提高了2倍。另外，還采用了把儲存在Cell(柵元)的數據進行更加精密的確認，使Cell的數據讀取能力提高2倍以上的“超高感度Cell數據讀取系統設計”，以及在電流通過的微細領域用絕緣效果出色的工藝來代替現有使用的物質進行填充的“第二代氣隙工藝”等。
通過此次産品的開發，三星就可以維持“超差距戰略”，使競爭對手很難趕上。目前在世界上制造DRAM的企業中，占有率超過3%的企業只有三星電子(45.8%)和SK海力士(28.7%)、美國美光(21.0%)。據悉，SK海力士上月才突破10納米級大關，美光公司目前還停留在20納米級。
另外，在“半導體超級周期(超長期繁榮)”有可能即將結束的預測登場的情況下，新技術開發可能會成爲即使市場情況發生變化，也能繼續占據壓倒性領先優勢的武器。因爲，隨著人工智能(AI)和大數據等第4次産業革命相關技術的高度化，爲了處理演算和數據，勢必會優先使用最高配置的産品。
雖然目前的第二代10納米級DRAM只能批量生産PC産品，但三星集團計劃，不久後將推出用于服務器、手機、圖像等的多種産品，進入全面10納米級DRAM量産體系。三星電子儲存器事業部總經理陳教榮(音)強調說，“通過轉換思路的革新技術開發，突破了半導體的細微化技術的局限。今後將把高端DRAM市場全面轉換爲10納米級，進一步加強超差距競爭力。”
金成圭 sunggyu@donga.com
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