SK하이닉스, 10나노 6세대 D램 세계 최초 개발…“초미세공정 한계 돌파”

SK하이닉스(000660)는 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)5 D램 개발에 성공했다고 29일 밝혔다. SK하이닉스는 5세대(1b) D램 플랫폼을 확장하는 방식으로 6세대를 개발, 10나노미터(nm·10억분의 1m) 초반의 극미세화 메모리 공정 기술을 구현했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 한편, 업계 최고 성능으로 인정받는 SK하이닉스의 5세대 강점을 효율적으로 이식했다. SK하이닉스는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌지만 업계 최고 성능이 입증된 5세대 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파했다”고 설명했다. SK하이닉스는 극자외선(EUV) 특정 공정에 신소재를 개발, 적용하고 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력도 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 전 세대 대비 생산성은 30% 이상 자세히 보기