陷入中美半导体战争的SK海力士，要以扩大绝对差距来摆脱困局

据路透社昨天报道，SK海力士想要引进荷兰产尖端设备改善中国江苏省无锡工厂的计划，因美国政府的反对而面临流产的危机。报道还说：“在美国和中国的地缘政治纷争中，SK海力士有可能成为下一个牺牲品。”处在美中经济霸权战争中心的韩国半导体企业最担心的事件很有可能成为现实。

SK海力士第三季度在世界DRAM（动态随机存取存储器）半导体市场的占有率为27%，仅次于三星电子（44%），位居第二。美国、欧盟、中国等国家的竞争企业得到政府的各种补贴和税制支援，SK海力士要想甩掉它们，必须对尖端技术和装备进行进攻性投资。特别是无锡工厂是生产该公司一半DRAM产品的重要设施，有可能对企业竞争力产生负面影响。

拜登政府摆出了一副绝不允许使用美国及同盟国技术的尖端半导体设备进入中国的架势。表面上的理由是有可能被恶用于加强中国的军事力量，但其主要目的，是想牵制要在数量和质量所有方面成为制造业最强国的“中国制造2025”计划。美国政府上周甚至放弃了想要增加中国当地硅晶片产量的本国半导体企业英特尔的计划，似乎不允许一切例外。

问题是中国是购买韩国产半导体40%的最大客户。有分析认为，如果加上通过香港的迂回出口，所占比重将超过60%。如果因美国的掣肘而不能正常对中国工厂进行设备投资，中国可能会无辜的韩国企业而不是美国为目标进行报复。就像发生“萨德事件”时一样，完全不同领域的韩国企业也会受到牵连。

解决这种尴尬状况的方法只有一个，那就是进一步拉大技术与质量上的绝对差距，无论出现什么矛盾，中国企业都不得不购买韩国产半导体。但是，SK海力士计划投资的龙仁半导体集群工业园区，却因说服居民和批准推迟，开工时间比原计划推迟了一年以上。政府和政界必须为《培养半导体产业特别法》提供更果断的支援政策和放宽限制的方案，尽快予以通过。