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三星電子在業界首次開發出“基于CXL”的DRAM技術

三星電子在業界首次開發出“基于CXL”的DRAM技術

Posted May. 12, 2021 07:17   

Updated May. 12, 2021 07:17

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主導全球存儲器半導體市場的三星電子開發出了克服現有DRAM模塊的物理局限的新一代技術。三星電子11日表示,在業界首次開發出了以新一代接口“計算快速鏈路(CXL)”爲基礎的DRAM存儲器技術。

 新開發的CXL DRAM技術的特點是,可以顯著改善現有數據中心的性能。三星電子方面表示:“CXL是爲了更有效地利用高性能計算系統中與中央處理器(CPU)一起使用的存儲器、儲存裝置等而新提出的接口”,“通過這個可以克服現有計算系統存儲器容量的物理局限,並大幅擴張DRAM的容量。”

 實際上,隨著最近利用人工智能(AI)、機器學習、大數據等事業領域的大幅增加,需要處理的數據量暴增。但是,目前的數據中心、服務器平台上使用的現有技術,DRAM儲存容量有限,因此一直要求能夠克服這一難題的新的應對方案。

 三星電子表示,此次開發的基于CXL的DRAM存儲器已在英特爾平台上完成驗證。這意味著確保了新一代數據中心要求的大容量DRAM解決方案基礎技術。三星電子計劃擴大與全球主要數據中心、雲企業的合作。

 三星電子存儲器事業部商品企劃組常務朴哲民表示,“CXL DRAM技術將在新一代計算、大容量數據中心、AI等未來尖端領域發揮核心存儲器解決方案的作用”,“將引領智能數據中心要求的新一代技術,並加強與全球企業的合作,使CXL生態系統能夠快速擴張。”


徐東一 dong@donga.com